高热导率、耐高温、高压新兴材料—碳化硅(SiC)单晶片

交易价格面议

所属行业无机非金属材料

转让方式其他

成熟度可以量产

专利类型新技术

授权时间

成果介绍
摘要:在碳化硅单晶生长领域,技术开发单位结合设计平台中的电磁耦合仿真设计软件模拟设计热场,采用物理气相传输法(PVT)生长碳化硅(SiC)单晶,通过实际生长进行验证优化。同时建立低位错生长模型,结合理论模拟和生长实验,改进晶体生长的工艺参数,研制具有极低位错密度的单晶。在碳化硅(SiC)单晶加工领域,技术开发单位采用多线切割技术对碳化硅(SiC)晶体进行切片,使用物理研磨技术进行研磨、抛光,使用化学机械抛光技术和湿法化学清洗法清洗获得碳化硅(SiC)单晶衬底。...  查看全部 >>
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